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迟来的英特尔10nm工艺凭啥说比台积电/三星强?

编辑:亚博 来源:亚博 创发布时间:2021-01-22阅读80284次
  本文摘要:英特尔在北京举办了“精健生产日”,被称为英特尔制造工艺和生产最权威的专家组,被禁止执业的英特尔再次展示了其10纳米技术。

英特尔在北京举办了“精健生产日”,被称为英特尔制造工艺和生产最权威的专家组,被禁止执业的英特尔再次展示了其10纳米技术。并笑称之为:“老虎不发威,你以为我是病猫?”英特尔长期压制的这个“噱头”到底有多牛逼?再来总结一下事件,英特尔向外界透露了什么消息。首先,英特尔的继续执行副总裁兼生产、运营和销售集团总裁StacySmith回应说摩尔定律将会过热,英特尔正在沿着这条定律努力前进。

然而,在进化过程中,节点面临着时间更长的困境。这个谜题怎么编码?这时,英特尔展示了“超级微缩技术”。为了应对这项技术,英特尔需要加快前向密度的提高。

通过节点内优化,产品功能每年都可以得到增强。在右图中可以看到明显的优势:随着超微型技术的应用,英特尔的14纳米制造工艺更加突出。

虽然都是14nm,但是Intel的芯片密度更高,性能更强。其他10纳米工艺的芯片密度仅相当于英特尔的14纳米工艺。

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StacySmith指出,英特尔在14纳米工艺技术领域保持领先地位已有约三年时间。(为什么这句话这么耳熟?然而,我们不止一次听说,英特尔在制造技术方面确实领先于它的朋友。

这些朋友是谁?英特尔在活动上表示:拥有领先逻辑晶圆厂的公司数量越来越少,许多公司已经被淘汰。目前14-16 nm只有4个(英特尔、三星、TSMC、辛格)节点,只有2个(英特尔、三星)节点具备集成设备生产能力。之后,英特尔展示了业务实力。2016年全球代工收入530亿美元,其中高端技术(28/20/16/14 nm)代工收入2016年超过230亿美元。

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英特尔将致力于22/14/10纳米工艺节点的铸造,开发高端市场。最后,——10纳米的晶圆被放上了舞台。英特尔高级院士、技术与生产事业部工艺架构与建设总监马克玻尔(MarkBohr)负责管理并解释了相关细节。

作为从一开始的回应,英特尔是第一家生产22纳米场效应晶体管的公司,比竞争对手领先至少三年。马克波尔说,从14纳米到10纳米需要长达两年的时间,但密度的增加是非常可观的。

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晶体管密度每两年翻一番,10纳米时每平方毫米有1亿个晶体管,而14纳米时每平方毫米只有4000万个晶体管。马克波尔解释了14纳米超微型相对于22纳米超微型的优势,也解释了10纳米和14纳米超微型之间的技术差异。

他说,从22nm到14nm,再到10nm,第三代FinFET晶体管有了很大的突破。与14纳米相比,10纳米鳍的高度增加了25%,间距增加了25%。极强的小型化能力和新特性使晶体管密度提高了2.7倍。

最后,看来我们不会看到和手机发布会一样的朋友商人对比图了。如下:英特尔为什么这么热情?虽然英特尔在会上回应称,它是第一家制造22纳米场效应晶体管的公司,而且比它的朋友技术至少领先三年。不过当年勇者不信任自己的勇敢,22nm后的江湖又是一场血战。

2014年,英特尔发布了14纳米工艺,仅一年后,三星也发布了自己的14纳米工艺,然后TSMC也发布了16纳米工艺。2015年下半年宣布的苹果iPhone6s的A9处理器分别采用了三星的14nm工艺和TSMC的16nm工艺。去年年底,三星和TSMC相继发布了各自的10纳米技术,比英特尔的10纳米技术早了近一年。这非常令人失望.多次在江湖科技排名第一的英特尔,就这么颜?看样子是要等着死了。


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